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connect 2 jogos 360,Interaja em Tempo Real com Hostess Bonita, Recebendo Comentários Ao Vivo que Transformam Cada Jogo em Uma Experiência Ainda Mais Emocionante e Única..A epitaxia corresponde ao crescimento do filme de maneira ordenada, crescimento este que é influenciado pela estrutura cristalina do substrato. É necessário que exista compatibilidade entre as estruturas do filme e do substrato. Essa forma de crescimento minimiza a energia de interface entre o filme e o substrato pois as ligações entre eles seguem uma simetria, um alinhamento. Para realizar o crescimento epitaxial é necessária identificar as estruturas e qual a simetria existente entre os cristais do filme e do substrato. Quando ambos são do mesmo material e estão na mesma fase e direção cristalina este processo se torna mais simples, a compatibilidade é direta, e é chamado de homoepitaxia. Quando não há compatibilidade, há diferença de fase ou de material entre substrato e filme, tem-se a heteroepitaxia, a epitaxia não ocorre. Nesta, surge tensões na interface entre filme e substrato que é responsável por discordâncias e aumenta e energia livre total.,O princípio do formalismo SAN é descrever um sistema complexo dividindo-o em sub-sistemas quase independentes, pois estes interagirão ocasionalmente. Neste sistema, cada sub-sistema é modelado por um autômato..
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